在真空環(huán)境中，將材料加熱并鍍到基片上的技術(shù)為真空蒸鍍。具體而言，真空蒸鍍是將待成膜的物質(zhì)置于真空中進行蒸發(fā)或升華，使之在工件或基片表面析出的過程。真空蒸鍍中的金屬鍍層通常為鋁膜，但其它金屬也可通過蒸發(fā)沉積形成。然而，現(xiàn)有的鍍膜機結(jié)構(gòu)較為復雜且成本較高，無法充分適應工業(yè)化生產(chǎn)的需求，不利于降低鍍膜產(chǎn)品的成本。
有鑒于此，針對上述問題，有必要提出進一步的解決方案。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本實用新型的目的在于提供一種氧化鋁真空鍍膜機，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。
為實現(xiàn)上述實用新型目的，本實用新型提供一種氧化鋁真空鍍膜機，其包括：真空箱體、鍍膜鼓、擋板、氮氣輸送機構(gòu)、氧氣輸送機構(gòu)以及鋁源；
所述鍍膜鼓、擋板、氮氣輸送機構(gòu)、氧氣輸送機構(gòu)以及鋁源位于所述真空箱體內(nèi)部，所述擋板分布于所述鍍膜鼓的兩側(cè)，所述鍍膜鼓部分地自兩側(cè)擋板之間的空間伸出，所述鋁源位于所述鍍膜鼓下方，所述鋁源與所述鍍膜鼓之間的空間形成蒸鍍空間，所述氮氣輸送機構(gòu)具有氮氣輸送口，所述氧氣輸送機構(gòu)具有氧氣輸送口，所述氮氣輸送口和氧氣輸送口朝向所述蒸鍍空間設(shè)置。
作為本實用新型的氧化鋁真空鍍膜機的改進，所述鍍膜鼓與兩側(cè)擋板之間具有間隙，所述間隙的尺寸大于所述鍍膜鼓上卷繞的基材與基材上鍍層的厚度之和。
作為本實用新型的氧化鋁真空鍍膜機的改進，所述塑料基材為PET、CPP以及OPP中的一種。作為本實用新型的氧化鋁真空鍍膜機的改進，所述氮氣輸送機構(gòu)包括氮氣輸送管道以及設(shè)置于所述氮氣輸送管道上的第一控制閥，所述氮氣輸送管道的氮氣輸送口朝向所述蒸鍍空間設(shè)置。
作為本實用新型的氧化鋁真空鍍膜機的改進，所述氧氣輸送機構(gòu)包括氧氣輸送管道以及設(shè)置于所述氧氣輸送管道上的第二控制閥，所述氧氣輸送管道的氧氣輸送口朝向所述蒸鍍空間設(shè)置。
作為本實用新型的氧化鋁真空鍍膜機的改進，所述氧化鋁真空鍍膜機還包括蒸發(fā)舟，所述蒸發(fā)舟位于所述鍍膜鼓下方，所述鋁源放置于所述蒸發(fā)舟中。
作為本實用新型的氧化鋁真空鍍膜機的改進，所述蒸發(fā)舟的蒸發(fā)溫度為1700℃～1800℃，所述鍍膜鼓為低溫鍍膜鼓。
作為本實用新型的氧化鋁真空鍍膜機的改進，所述鋁源為鋁絲。
與現(xiàn)有技術(shù)相此，本實用新型的有益效果是：本實用新型的氧化鋁真空鍍膜機通過設(shè)置氮氣輸送機構(gòu)和氧氣輸送機構(gòu)實現(xiàn)了氧化鋁的蒸鍍，其具有結(jié)構(gòu)簡單、生產(chǎn)效率高的優(yōu)點，有利于降低鍍膜產(chǎn)品的成本。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖所示的各實施方式對本實用新型進行詳細說明，但應當說明的是，這些實施方式并非對本實用新型的限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代，均屬于本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
如圖1所示，本實用新型的氧化鋁真空鍍膜機包括：真空箱體10、鍍膜鼓20、擋板30、氮氣輸送機構(gòu)40、氧氣輸送機構(gòu)50以及鋁源60。所述真空箱體10用于形成真空鍍膜環(huán)境，所述鍍膜鼓20、擋板30、氮氣輸送機構(gòu)40、氧氣輸送機構(gòu)50以及鋁源60位于所述真空箱體10內(nèi)部。
其中，所述鍍膜鼓20上卷繞有需要進行蒸鍍氧化鋁鍍層的基材1，所述基材1為塑料基材。具體地，所述塑料基材可以為PET、CPP以及OPP中的一種。所述擋板30用于在蒸鍍時，使蒸鍍料作用于所述鍍膜鼓20的有效位置上，保證蒸鍍的均勻性。具體地，所述擋板30分布于所述鍍膜鼓20的兩側(cè)，且所述鍍膜鼓20部分地自兩側(cè)擋板30之間的空間伸出。如此設(shè)置，所述鍍膜鼓20伸出的部分形成蒸鍍時的有效位置，其上的基材1與蒸鍍料相接觸實現(xiàn)蒸鍍。此外，為了便于蒸鍍的進行，所述鍍膜鼓20與兩側(cè)擋板30之間具有間隙，所述間隙的尺寸大于所述鍍膜鼓20上卷繞的基材1與基材1上鍍層的厚度之和。
所述鋁源60位于所述鍍膜鼓20下方，所述鋁源60與所述鍍膜鼓20之間的空間形成蒸鍍空間2。優(yōu)選地，所述鋁源60為鋁絲。為了使得所述鋁源60進行蒸發(fā)，所述氧化鋁真空鍍膜機還包括蒸發(fā)舟70，所述蒸發(fā)舟70位于所述鍍膜鼓20下方，所述鋁源60放置于所述蒸發(fā)舟70中。從而，當所述蒸發(fā)舟70加熱時，鋁源60受熱蒸發(fā)并進入所述蒸鍍空間2中。優(yōu)選地，所述蒸發(fā)舟70的蒸發(fā)溫度為1700℃～1800℃。此外，為了防止鍍膜時高溫蒸鍍料破壞所述基材1，所述鍍膜鼓20為低溫鍍膜鼓，從而蒸鍍時，通過所述低溫鍍膜鼓可實現(xiàn)所述蒸鍍料的瞬間冷卻，降低所述蒸鍍料的溫度。
所述氮氣輸送機構(gòu)40和氧氣輸送機構(gòu)50用于提供反應氣，從而所述鋁源60蒸發(fā)后與反應氣反應轉(zhuǎn)化為氧化鋁進行蒸鍍。具體地，所述氮氣輸送機構(gòu)40具有氮氣輸送口，所述氧氣輸送機構(gòu)50具有氧氣輸送口，所述氮氣輸送口和氧氣輸送口朝向所述蒸鍍空間2設(shè)置。從而，氧氣和氮氣的氣源通過所述氮氣輸送機構(gòu)40和氧氣輸送機構(gòu)50輸送到蒸鍍空間2中進行反應。
其中，所述氮氣輸送機構(gòu)40包括氮氣輸送管道41以及設(shè)置于所述氮氣輸送管道41上的第一控制閥42，所述氮氣輸送管道41的氮氣輸送口朝向所述蒸鍍空間2設(shè)置。所述第一控制閥42用于控制氮氣的流量，以使得所述氮氣輸送機構(gòu)40提供滿足要求流量的氮氣。所述氧氣輸送機構(gòu)50包括氧氣輸送管道51以及設(shè)置于所述氧氣輸送管道51上的第二控制閥52，所述氧氣輸送管道51的氧氣輸送口朝向所述蒸鍍空間2設(shè)置。所述第二控制閥52用于控制氧氣的流量，以使得所述氧氣輸送機構(gòu)50提供滿足要求流量的氧氣。
本實用新型的氧化鋁真空鍍膜機工作時，蒸發(fā)舟加熱其中的鋁絲，鋁絲受熱蒸發(fā)進入蒸鍍空間中，與氧氣和氮氣的混合氣反應生成氧化鋁。氧化鋁隨氣流蒸鍍于鍍膜鼓的基材上。同時，隨著鍍膜鼓的自轉(zhuǎn)，基材上被均勻蒸鍍一層氧化鋁薄膜。
綜上所述，本實用新型的氧化鋁真空鍍膜機通過設(shè)置氮氣輸送機構(gòu)和氧氣輸送機構(gòu)實現(xiàn)了氧化鋁的蒸鍍，其具有結(jié)構(gòu)簡單、生產(chǎn)效率高的優(yōu)點，有利于降低鍍膜產(chǎn)品的成本。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本實用新型。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實用新型內(nèi)。不應將權(quán)利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實施方式。
