真空鍍膜機設備真空鍍膜機系統(tǒng)特點
真空鍍膜機在等離子體束濺射中，濺射離子均勻刻蝕靶面，并且不會使靶面產(chǎn)生氧化。與磁控濺射相比，其中的等離子體束是由射頻等離子體源產(chǎn)生的，磁場的作用則是使等離子體束會聚并偏轉(zhuǎn)至靶面，因此，雖然等離子體束濺射鍍膜系統(tǒng)內(nèi)也有磁場，但其磁場卻并不控制影響濺射，這也摒棄了磁控濺射中由磁場不均勻帶來的“磁控”的缺點。在濺射完成后，所得的靶材利用率可高達90%以上。
真空鍍膜機即分別進行磁控濺射和等離子體束濺射之后靶面刻蝕的對比圖。由于靶材的利用率大幅度提高，也解決了磁控濺射中所難以克服的缺點，即靶中毒導致的刻蝕不均勻
真空鍍膜機此外，磁控濺射由于背面磁鐵磁場不均勻而產(chǎn)生濺射跑道，非磁場約束區(qū)很容易產(chǎn)生氧化，因此很難沉積鐵磁性材料，而等離子體束濺射中由于不用磁鐵作為等離子體約束，能夠進行鐵磁性材料的鍍膜，并且可以使用很厚的靶材，圖3中實驗金屬鈷的厚度即為6mm。對于鐵、鎳、鉻以及鐵磁性化合物，等離子體束濺射也都具有很高的濺射速率。
應用該項鍍膜技術的系統(tǒng)還有一個優(yōu)點，當將電磁線圈的極性反接時，由于磁場的方向產(chǎn)生了變化，等離子體束會在磁場的作用下轟擊基片，從而對基片產(chǎn)生清洗作用,如圖4 所示。這實際上可以使得應用該項技術的鍍膜機省略常規(guī)鍍膜機的清洗用離子源。
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